RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
77
Intorno -133% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
33
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3084
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link