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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
2,594.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
77
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
77
46
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
5,520.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
2,594.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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