Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

Gesamtnote
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gesamtnote
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takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

Unterschiede

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,622.0 left arrow 2,594.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 77
    Rund um -67% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    77 left arrow 46
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,405.2 left arrow 5,520.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,622.0 left arrow 2,594.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    763 left arrow 878
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RAM 2

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