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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
2,594.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
77
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
77
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
5,520.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
2,594.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
878
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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