RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
2,594.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
77
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
77
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
5,520.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
2,594.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link