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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
1,937.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
77
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
77
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
4,539.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
1,937.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
5300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
692
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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