Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Note globale
star star star star star
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,622.0 left arrow 1,937.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    52 left arrow 77
    Autour de -48% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    77 left arrow 52
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,405.2 left arrow 4,539.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,622.0 left arrow 1,937.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    763 left arrow 692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons