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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
1,937.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
77
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
77
52
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
4,539.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
1,937.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
5300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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