Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Pontuação geral
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,622.0 left arrow 1,937.9
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    52 left arrow 77
    Por volta de -48% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 52
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 4,539.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 1,937.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 692
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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