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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
1,937.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
77
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
77
52
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
4,539.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
1,937.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
5300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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