RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
1,937.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
77
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
77
52
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
4,539.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
1,937.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
5300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB Comparações de RAM
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link