RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
77
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
47
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link