RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
77
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
47
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link