RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
77
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
47
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link