RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
77
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link