Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,622.0 left arrow 1,937.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    52 left arrow 77
    Wokół strony -48% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    77 left arrow 52
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,405.2 left arrow 4,539.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,622.0 left arrow 1,937.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    763 left arrow 692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania