RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
1,937.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
77
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
77
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
4,539.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
1,937.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
5300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link