Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,622.0 left arrow 2,594.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    46 left arrow 77
    Wokół strony -67% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    5 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    77 left arrow 46
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,405.2 left arrow 5,520.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,622.0 left arrow 2,594.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    763 left arrow 878
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania