RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
2,594.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
77
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
77
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
5,520.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
2,594.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link