RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,622.0
2,594.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
77
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
77
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
5,520.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
2,594.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link