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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
2,594.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
77
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
77
46
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
5,520.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
2,594.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
6400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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