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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
25
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
1175
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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