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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Gesamtnote
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 25
    Rund um -14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 12.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 7.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2180 left arrow 1175

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