Comparaison de la RAM TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Note globale

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.4 7.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

22 25

Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.7 12.5

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2180 1175

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns