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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.5
12.7
写入速度,GB/s
8.4
7.5
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
1175
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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