TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

总分
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

总分
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Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    22 left arrow 25
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    12.7 left arrow 12.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    25 left arrow 22
  • 读取速度,GB/s
    12.5 left arrow 12.7
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 7.5
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2180 left arrow 1175
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