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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
総合得点
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
総合得点
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.7
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
12.5
12.7
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2180
1175
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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