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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

総合得点
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

総合得点
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Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB 考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.5
    テスト平均値
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB 考慮すべき理由
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 25
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 12.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    12.5 left arrow 12.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2180 left arrow 1175

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