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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
47
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
47
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2308
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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