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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
77
En -133% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3084
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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