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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
5.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
2070
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB Comparações de RAM
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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