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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
2070
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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