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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
1804
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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