Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Puntuación global

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 65

En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.8 1,592.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 5300

En 2.42% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1763 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns