Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 65
    周辺 58% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 5300
    周辺 2.42% 高帯域
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 3,580.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 1,592.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1763 left arrow 572
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