Comparaison de la RAM Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Note globale

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 65

Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.8 1,592.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 5300

Autour de 2.42% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1763 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns