RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 65
    Около 58% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 5300
    Около 2.42% выше полоса пропускания
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.2 left arrow 3,580.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 1,592.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1763 left arrow 572

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
модули RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
модули RAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
модули RAM