Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 3.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 37
Скорость чтения, Гб/сек

7.2 19.5
Скорость записи, Гб/сек

3.0 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

915 3355

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM