Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 38

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.1 7.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.7 3.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

38 27
Скорость чтения, Гб/сек

7.2 14.1
Скорость записи, Гб/сек

3.0 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

915 2207

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston KX8388-ELG 512MB

Kingston KX8388-ELG 512MB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB

модули RAM