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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
総合得点
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
総合得点
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
38
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
7.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
3.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
27
読み出し速度、GB/s
7.2
14.1
書き込み速度、GB/秒
3.0
8.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2207
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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