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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 45
    周辺 -2% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 1977

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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