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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Note globale
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Note globale
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    Valeur moyenne dans les tests
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    44 left arrow 45
    Autour de -2% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    45 left arrow 44
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.3 left arrow 12.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1992 left arrow 1977

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

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