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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
45
Autour de -2% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
45
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1977
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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