Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 38
    Por volta de -41% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.1 left arrow 7.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.7 left arrow 3.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    38 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    7.2 left arrow 14.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    3.0 left arrow 8.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    915 left arrow 2207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações