RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2207
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology 11137401 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link