Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Unterschiede

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 38
    Rund um -41% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.1 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 3.0
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 14.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.0 left arrow 8.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    915 left arrow 2207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche