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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
3.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
7.2
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2207
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology 11137401 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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