Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Pontuação geral
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 27
    Por volta de -13% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.5 left arrow 12.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 7.3
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.7 left arrow 15.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.3 left arrow 8.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2121 left arrow 2444
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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