Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 27
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 7.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2121 left arrow 2444
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較