Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 27
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 8.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2121 left arrow 2444
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения