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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2121
2444
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB RAM-Vergleiche
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB RAM-Vergleiche
AMD AE34G1339U2 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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