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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2121
2444
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1339U2 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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