Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 27
    En -13% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 15.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.3 left arrow 8.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2121 left arrow 2444
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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