Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 27
    Intorno -13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 12.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.8 left arrow 7.3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.3 left arrow 8.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2121 left arrow 2444
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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