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AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Confronto
AMD AE34G1339U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1339U2 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
AMD AE34G1339U2 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2038
2444
AMD AE34G1339U2 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1339U2 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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