AMD AE34G1339U2 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1339U2 4GB

AMD AE34G1339U2 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1339U2 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1339U2 4GB

Сообщить об ошибке

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 26

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 12.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.8 8.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1339U2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

26 24
Скорость чтения, Гб/сек

12.5 15.5
Скорость записи, Гб/сек

8.0 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2038 2444

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

модули RAM

AMD AE34G1339U2 4GB

AMD AE34G1339U2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

модули RAM