RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2890
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link