RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link