Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 60

Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.5 1,234.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6% выше полоса пропускания

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR2
Задержка в PassMark, нс

24 60
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 3,069.5
Скорость записи, Гб/сек

12.5 1,234.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 3200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 3-3-3-12 / 400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 459

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston KMKYF9-MIB 8GB

Kingston KMKYF9-MIB 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

модули RAM