RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,234.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
3,069.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
1,234.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
3200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
459
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB Сравнения RAM
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link