Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 60

Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.5 1,234.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 3200

Autour de 6% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 3-3-3-12 / 400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2925 459

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns