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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 60
    周辺 60% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,234.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6% 高帯域
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 3,069.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 1,234.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 459

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