Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 60

Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 1,234.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 3200

Intorno 6% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 3-3-3-12 / 400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2925 459

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns